最新文章

東莞2025年半導體產業集群突破1000億元規模
作者 |發布日期 2023 年 02 月 01 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
1月29日，廣東省東莞市印發《關于堅持以制造業當家 推動實體經濟高質量發展的若干措施》（“一號文”），提出力爭到2025年底全市營收超百億元制造業企業不少于25家，產值超千億元制造產業集群不少于7個，先進制造業增加值占規上工業增加值比重不低于50%。 堅持以大產業重塑體系結構，增...  [詳內文]

瞄準毫米波雷達，矽杰微電子完成新一輪增資
作者 |發布日期 2023 年 02 月 01 日 17:22 | 分類 碳化硅SiC
近日，上海矽杰微電子有限公司（以下簡稱“矽杰微電子”）宣布完成新一輪增資，由陽光融匯資本獨家投資。 矽杰微電子成立于2016年，是一家毫米波雷達芯片及技術開發商，深耕毫米波雷達傳感器在消費領域、工業領域、以及汽車領域中應用落地。本輪募集資金將用于加快矽杰微電子在上述領域的業務拓展...  [詳內文]

涉及顯示、三代半等，兩部門公布2022年度重點產品方向
作者 |發布日期 2023 年 02 月 01 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN
1月30日消息，工業和信息化部、國務院國資委近日印發通知，公布2022年度重點產品、工藝“一條龍”應用示范方向和推進機構名單，涉及顯示、第三代半導體等相關領域。 其中，顯示器件曝光機重點方向，參與單位包括上海微電子裝備（集團）股份有限公司、京東方科技集團股份有限公司、TCL華星...  [詳內文]

SiC企業晶睿電子獲投資
作者 |發布日期 2023 年 01 月 31 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
據古道資本消息，近日完成對浙江晶睿電子科技有限公司（簡稱：晶睿電子）的投資。 晶睿電子是古道資本繼北京京儀自動化設備后，又一半導體行業布局。 晶睿電子成立于2020年5月，是由國內最早從事硅片國產化技術攻關的技術團隊所創立，主要進行高端電子級半導體材料、用于智能感知系統的特種硅片...  [詳內文]

意法半導體擬斥40億美元投向SiC、12英寸晶圓
作者 |發布日期 2023 年 01 月 31 日 17:26 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導體(ST)于發布了第四季度和2022財年的財務業績。受汽車和工業需求強勁的推動，公司第四季度凈收入為44.2億美元，2022財年凈營收161.3億美元，業績超出預期。 客戶需求強勁，全年營收凈利雙增 第四季度凈收入為44.2億美元，同比增長24.4%，環比增長2.4...  [詳內文]

華潤微在深圳、重慶的12吋晶圓線迎新進展
作者 |發布日期 2023 年 01 月 31 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
據重慶日報消息，位于西部（重慶）科學城西永微電園的華潤微電子重慶園區內，每個月都有約6.5萬片8吋晶圓下線，并運往全國各地，廣泛應用于消費電子、工業控制、汽車電子等領域。 2022年底，總投資75.5億的12吋晶圓制造生產線和先進功率封測基地雙雙實現通線。 據估計，該12吋晶圓產...  [詳內文]

天岳先進、斯達半導等發布2022年業績預告，僅一家實現盈利
作者 |發布日期 2023 年 01 月 31 日 16:56 | 分類 碳化硅SiC
近日，斯達半導、天岳先進、得潤電子、賽微電子紛紛發布2022年業績預告。其中，僅斯達半導預計實現盈利，而得潤電子的虧損幅度有所縮減。 斯達半導 斯達半導預計2022年年度實現歸屬于上市公司股東的凈利潤為81,200萬元-82,500萬元，與2021年同期相比將增加41,361.7...  [詳內文]

碳化硅產業前期投入大，露笑科技2022年預虧
作者 |發布日期 2023 年 01 月 30 日 16:10 | 分類 碳化硅SiC
1月29日晚間，露笑科技發布2022年年度業績預告稱，公司預計2022年歸母凈利潤虧損2.30億元至2.95億元。 對于業績變動的原因，露笑科技指出，報告期內，因經濟整體下行及部分行業前景不明，公司實施新的產業布局和業務優化，對相關資產實施計提減值后，對公司的業績造成了較大影響...  [詳內文]

深圳龍崗將建國家第三代半導體技術創新中心
作者 |發布日期 2023 年 01 月 30 日 14:06 | 分類 碳化硅SiC
1月29日，深圳市龍崗區平湖街道掛牌一宗普通工業用地，宗地號為G05701-0090，土地總面積為86714.75平方米，建筑面積為105000平方米。本宗地的掛牌起始價2920萬元，土地使用年限為30年，將于2月27日正式出讓。 本宗地土地用途為普通工業用地，宗地產業準入行業為...  [詳內文]

百思特達氮化鎵項目進入產品試生產階段
作者 |發布日期 2023 年 01 月 30 日 9:57 | 分類 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目已進入產品試生產階段。 據此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車...  [詳內文]